Расчет и моделирование переходных процессов при испытаниях танталовых конденсаторов импульсным током
Ключевые слова:
танталовый конденсатор, схема замещения, SPICE-модель, переходные процессыАннотация
Составлена математическая модель, описывающая переходные процессы при заряде танталового конденсатора. Выявлено влияние частотных характеристик танталового конденсатора на переходные процессы. Проведен анализ влияния схемы замещения танталового конденсатора на результаты расчета переходных процессов.Библиографические ссылки
Teverovsky A. Effect of inductance and requirements for surge current testing of tantalum capacitors // CARTS-CONFERENCE. – COMPONENTS TECHNOLOGY INSTI-TUTE INC. – 2006. – Т. 26. – P. 363.
Сибгатуллин Б. И. Разработка и исследование режимов импульсного тестирования конденсаторов : дис. … магистра. – Ижевск, ИжГТУ, 2014. – 78 с.
Селетков С. Г. Проблема, цель, задача в диссертации // Достижения и перспективы психологии и педагогики : сб-к статей Междунар. науч.-практ. конф. – Уфа, 2014. – С. 35–38.
Gill J. Surge in solid tantalum capacitors //AVX (July, 1994). – 1995.
Holland H. W. Effects of High Сurrent Transients on Solid Tantalum Capacitors // Electronic Equipment News (March, 1976) pp. – 1976. – P. 20–21.
Franklin R. W. Surge current testing of resin dipped tantalum capacitors // AVX technical information. – 1985.
Franklin R. W. Equivalent series resistance of tantalum capacitors // AVX technical information.
Prymak J. Capacitors EDA models with compensations for frequency, Temperature and DC bias // CARTS-CONFERENCE – Electronic Components Association, 2010.
Prymak J. SPICE modeling of capacitors // CARTS-CONFERENCE – COMPONENTS TECHNOLOGY INSTI-TUTE INC. – 1995. – P. 39.
Ibid.
Сибгатуллин Б. И., Барсуков В. К. Влияние параметров стенда импульсного тестирования на результаты испытаний // Интеллектуальные системы в производстве. – 2014. – № 2 (24). – С. 195–202.
URL: http://webspice.kemet.com.
Там же.
Там же.
