МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ЗАРЯДЕ КОНДЕНСАТОРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ МЕТОДОМ КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Авторы

  • Б. И. Сибгатуллин ИжГТУ имени М. Т. Калашникова
  • В. К. Барсуков ИжГТУ имени М. Т. Калашникова

DOI:

https://doi.org/10.22213/2410-9304-2018-3-58-65

Ключевые слова:

конечно-элементное моделирование, переходные процессы, элементы с распределенными параметрами

Аннотация

Танталовые конденсаторы имеют большую удельную емкость благодаря пористой структуре анода. Эта особенность их строения приводит к тому, что при анализе на высоких частотах или расчете переходных процессов с малым значением постоянной времени танталовый конденсатор нельзя рассматривать как элемент с сосредоточенными параметрами. При этом лестничная схема замещения дает более точные результаты расчетов в частотной и временной областях. Можно предположить, что в процессе заряда конденсатора с распределенными параметрами напряженность электрического поля и плотность тока распределены неравномерно по структуре конденсатора, что может приводить к неравномерной нагрузке на различные области конденсатора. Для проверки этой гипотезы был проведен конечно-элементный анализ процесса заряда структуры конденсатора с распределенными параметрами, который показал, что области конденсатора, расположенные вблизи катодного вывода, подвергаются воздействию зарядных токов большей амплитуды. Возможны ситуации, при которых в этих областях наблюдаются колебательные переходные процессы при общем апериодическом процессе заряда конденсатора, что приводит к возникновению перенапряжений в этих областях. Степень влияния распределенности параметров конденсатора на характер переходных процессов снижается с ростом проводимости материала катода.

Биографии авторов

Б. И. Сибгатуллин, ИжГТУ имени М. Т. Калашникова

аспирант кафедры «Электротехника»

В. К. Барсуков, ИжГТУ имени М. Т. Калашникова

кандидат технических наук, профессор, доцент кафедры «Электротехника»

Библиографические ссылки

Holman, Brian, The electrical characterization of tantalum capacitors as mis devices (2008) // All Theses. Paper 393.

Барсуков В. К., Сибгатуллин Б. И. Расчет и моделирование переходных процессов при испытаниях танталовых конденсаторов импульсным током // Интеллектуальные системы в производстве. 2015. № 1 (25). С. 115-120.

Sullivan C. R., Kern A. M. Capacitors with fast current switching require distributed models // Proceedings of the 32nd Annual Power Electronics Specialists Conference. PESC 2001, 17-21 June 2001, pp. 1497-1503.

Prymak J. D. Capacitors EDA models with compensations for frequency, Temperature and DC bias // CARTS-CONFERENCE - Electronic Components Association, 2010.

Prymak J. SPICE modeling of capacitors // CARTS-CONFERENCE - COMPONENTS TECHNOLOGY INSTITUTE INC, 1995. С. 39-39.

Барсуков В. К., Сибгатуллин Б. И. Calculation and simulation of transients during charging of tantalum capacitors // Молодые ученые - ускорению научно-технического прогресса в XXI веке: сб. матер. конф. Ижевск, 2015. С. 883-889.

Teverovsky A. Effect of inductance and requirements for surge current testing of tantalum capacitors // Carts-conference - Components technology institute inc., 2006.

Reed E. K., Paulsen J. L. Impact of circuit resistance on the breakdown voltage of tantalum chip capacitors // Proceedings of the CARTS, 2001, pp. 150-156.

Григорьев А. Д. Методы вычислительной электродинамики. М. : ФИЗМАТЛИТ, 2012. 432 с.

Определение параметров схем замещения танталовых конденсаторов по экспериментальным характеристикам / В. К. Барсуков, М. Л. Новоселов, М. А. Пустовалов, А. В. Соломин, М. А. Чепкасова // Современные проблемы и пути их решения в науке, транспорте, производстве и образовании 2011 : сборник научных трудов SWorld. Материалы международной научно-практической конференции. 2011. Вып. 4. Т. 10. С. 72-79.

Загрузки

Опубликован

11.10.2018

Как цитировать

Сибгатуллин, Б. И., & Барсуков, В. К. (2018). МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ЗАРЯДЕ КОНДЕНСАТОРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ МЕТОДОМ КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ. Интеллектуальные системы в производстве, 16(3), 58–65. https://doi.org/10.22213/2410-9304-2018-3-58-65

Выпуск

Раздел

Статьи