Измерение эффективной площади металлизации в гальваническом процессе
DOI:
https://doi.org/10.22213/2413-1172-2020-1-23-31Ключевые слова:
металлизация, проводящее покрытие, оптимизация, эффективная площадь, измеритель, фотоэлектронный преобразователь, импульсный режимАннотация
Рассмотрены особенности измерения площади проводящих покрытий сложных топологий в процессе гальванической металлизации. Показано, что при разработке и исследовании гибридных слоистых структур наиболее сложно оценивать эффективную площадь проводящих металлических и неорганических поверхностей и электродов. Проведен анализ применимости разнообразных способов расчета и моделирования при проектировании проводящих поверхностей в условиях сложной топологии электрического поля и множества влияющих факторов. Установлено, что доминирующие в настоящее время оптические методы не обеспечивают требуемой достоверности контроля эффективной площади проводящих поверхностей. Доказано, что только применение ионного потока позволяет измерять площадь покрытия с учетом топологии электрического поля металлизируемой поверхности. Выбран принцип измерения среднегеометрической площади гальванопары на основе ее зависимости от отношения эквивалентной проводимости гальванической цепи к удельной проводимости электролита. Разработан алгоритм, позволяющий экспериментально определять площадь металлизации изделия Sk, в котором коррекция результата измерения площади катода на топологию линий тока и краевые поля металлизируемой поверхности выполняется автоматически.
Выбраны измерительные преобразователи: ток I – напряжение UI, напряжение U – напряжение UU и корректирующие преобразования контактной разности потенциалов, средней длины линий тока и обратной площади анода в нормированные напряжения. Определены условия и критерии нормировки и согласования с аналого-цифровыми преобразователями. На выходе аналого-цифрового преобразователя формируются коды тока NI, напряжения NU и соответствующих параметров процесса измерительного преобразования.
Синтезирована структурная схема измерительного преобразователя площади металлизации. Она состоит из измерительно-установочного блока и процессора. Изделие – катод, анод и набор электродов-датчиков – помещается в ванну с электролитом. Источник питания создает в ванне постоянный ток, который измерительными преобразователями преобразуется в коды напряжения, тока, удельной проводимости, контактной разности потенциалов, средней длины линий тока и обратной площади анода. Процессор реализует алгоритм измерительного преобразования и формирует измерительный сигнал USk, пропорциональный эффективной площади изделия Sk и (или) код NSk. Показано, что возможна автоматизация измерительного преобразования в режимах питания гальванических установок импульсным и импульсно-реверсивным токами. В режиме импульсного питания предложено в блоки, работающие в импульсном режиме, вводить интеграторы. В импульсно-реверсивном режиме в эти блоки должны вводиться корреляционные фильтры.
Разработана схема измерительной установки для измерения площади электропроводных деталей в процессе металлизации в импульсном и импульсно-реверсивном режимах. Включение синтезированных измерителей в состав систем автоматического управления током гальванических ванн обеспечивает уменьшение расхода материалов, экономию электрической энергии, повышение уровня автоматизации нанесения покрытий.Библиографические ссылки
Schnabel М., Klein Т., Lee В., Nemeth W., LaSalvia V., van Hest М. and Stradins Р. [Novel Rear Side Metallization Route for Si Solar Cells Using a Transparent Conducting Adhesive]. Presented at the 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) Washington, DC June 25-30, 2017. https://www.nrel.gov/
docs/fy18osti/68679.pdf (дата обращения 07.02.2020).
Wilt D.M., Bradshaw G., Gap Lt.N., Abudayyeh О.K., Nelson C., Han S., Cox N., RapeА., Landi В. and Whipple S. [Metal matrix composite solar cell metallization]. DOI: 10.1051/e3sconf, 20171603001 E3S Web of Conferences /16, 03001, 2017. https://www.e3s-
conferences.org/articles/e3sconf/pdf/2017/04/e3sconf_
espc2017_03001.pdf (дата обращения 07.02.2020).
Balaji N., Raval М.С. and Saravanan S. [Review on Metallization in Crystalline Silicon Solar Cells. Submitted]. October 5th 2018 Reviewed: January 30th 2019 Published: July 1st 2019. Open access peer-reviewed chapter - ONLINE FIRST https://www.intechopen.com/
online-first/review-on-metallization-in-crystalline-silicon-solar-cells. DOI: 10.5772/intechopen.84820 (дата обращения 06.02.2020).
Xiong1 S., Li1Yo., Liu1 С., Yuan Х., Tong1 Н., Yang1 Yu., Ye1 Х., Wang Х. and Luo L. [Rapid and accurate characterization of silver-paste metallization on crystalline silicon solar cells by contact-end voltage measurement]. AIP Advances 8, 095225, 2018. https://doi.org/10.1063/1.5038127 View Affiliations, PDF (дата обращения 08.02.2020).
Grell М., Dincer С., Le Т., Lauri А., Bajo E.N., Kasimatis M., Barandun G., Maier S.A., Cass A.E.G., and Güde F. [Autocatalytic Metallization of Fabrics Using Si Ink, for Biosensors, Batteries and Energy Harvesting]. Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1804798. 11 р. DOI: 10.1002/adfm.201804798.
Ruflli R. [Fatigue mechanisms in Al-based metal-lizations in power MOSFETs]. Material chemistry. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2017. English. NNT Submitted on 23 Nov 2018: 2017TOU30256, 251 р. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01933501 (дата обращения 07.02.2020).
Jumelle C., Hamri A., Egaud G., Mauclair C., Reynaud S., Dumas V., Garcin T., Gain Ph. and Thibaud G. [Comparison of four methods of surface roughness assessment of corneal stromal bed after lamellar cutting]. Biomedical optics express 4974, vol. 8, no. 11 | 1 Nov 2017.
Heinrich M., Kraft A., Lieder M., Hoex B/, Aberle A.G., Glatthaar M. [Quantification of front side metallization area on silicon wafer solar cells for background plating detection]. 5th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV, 2015, pp. 717-724. https://doi.org/10.1016/j.egypro.2015.07.102Get rights and content https://pdf.sciencedirectassets.com/277910/
-s2.0-S1876610215X00166/1-s2.0-S1876 (дата обращения 07.02.2020).
Lin Li L., Yin H. and Mason A.J. [Epoxy Chip-in-Carrier Integration and Screen Printed Metallization for Multichannel Microfluidic Lab-on-CMOS Microsys-tems]. IEEE Trans Biomed Circuits Syst., 2018, Apr; 12(2): 416-425. doi: 10.1109/TBCAS.2018.2797063. ww.ncbi.nlm.nih.gov › pmc › PMC5886702 (дата обращения 06.02.2020).
TLM measurement PVeducation.org. A collection of resources for the photovoltaic educator https://www.pveducation.org/pvcdrom/tlm-measurement (дата обращения 19.02.2020).
Xiong1 S., Li1 Yo., Liu С., Yuan Х., Tong1 Н., Yang1 Yu., Ye1 Х., Wang Х. and Luo L. Rapid and accurate characterization of silver-paste metallization on crystalline silicon solar cells by contact-end voltage measurement. AIP Advances 8, 095225, 2018. https://doi.org/10.1063/1.5038127 View Affiliations. PDF (дата обращения 08.02.2020).
Hande E., Çiftpinar H., Stodolny K.M., Wu Yu., Janssen G.J.M., Löffler Jo., Schmitz Ju., Lenes M., Lu-chies J.-M., Geerligs L.J. [Study of screen printed metallization for polysilicon based passivating contacts]. 7th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV 2017. Energy Procedia 124 (2017) 851-861. https://www.sciencedirect.com (дата обращения 07.02.20).
[Low-Temperature Screen-Printed Metallization for the Scale-Up of Two-Terminal Perovskite - Silicon Tandems]. ACS Appl. Energy Mater., 2019, 2, 5, 3815. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaem.9b00502 (дата обращения 07.02.20).
Hatt Т., Bartsch J., Kluska S., and Glatthaar М. [Establishing the “native oxide barrier layer for selective electroplated” metallization for bifacial silicon hetero-junction solar cells]. AIP Conference Proceedings 2147, 040005 (2019); Published Online: 27 August 2019. https://doi.org/10.1063/1.5123832 (дата обращения 07.02.20).
Bonabi A., Tähkä S., Ollikainen E., Jokinen V. and Sikanen T. Metallization of Organically Modified Ceramics forMicrofluidic Electrochemical. Micromachines, 2019, 10, 605, 12 p. https://researchportal.
helsinki.fi/en/publications/metallization-of-organically-modified-ceramics-for-microfluidic-e-2 (дата обращения 07.02.20).
Подкин Ю. Г., Данилов Ю. В. Измерение площади металлизации при импульсном реверсном питании гальванических ванн // Технологии в электронной промышленности. 2018. № 5. С. 48–50.
Integrated multilayer stretchable printed circuit boards paving the way for deformable active matrix. https://www.nature.com/articles/s41467-019-12870-7 (дата обращения 06.02.20).
Кондрашов Д. Системы тестирования на ЭМС микросхем и печатных плат // Технологии в электронной промышленности = Technologies in electronic industry. 2019. № 5 (113). С. 62–66. ISSN 2079-9454.