ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ СТЕНДА ИМПУЛЬСНОГО ТЕСТИРОВАНИЯ НА РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ
Ключевые слова:
танталовый чип-конденсатор, испытания импульсным током, переходные процессыАннотация
Составлена математическая модель, описывающая переходные процессы, возникающие при импульсном тестировании. Проведен анализ влияния параметров стенда импульсного тестирования на результаты испытаний. Сформулированы выводы, поставлены задачи дальнейших исследований.Библиографические ссылки
Соломин А. В. Разработка стенда для тестирования танталовых чип-конденсаторов импульсным током : дис. … магистра. – Ижевск, 2013. – 73 с.
ESA/SCC Generic Specification № 3012.
MIL-PRF-55365G, 2008.
Teverovsky A. Effect of inductance and requirements for surge current testing of tantalum capacitors // CARTS-CONFERENCE-. – COMPONENTS TECHNOLOGY INSTITUTE INC., 2006. – Т. 26. – С. 363.
Holland H. W. Effects of High Сurrent Transients on Sol-id Tantalum Capacitors //Electronic Equipment News (March, 1976) pp. – 1976. – С. 20–21.
Teverovsky A. Op. cit.
Бессонов Л. А. Теоретические основы электротехники. – М. : Высш. шк., 1996. – 623 с. : ил.
Holland H. W. Op. cit.
Reed E. K. and Paulsen J. L. Impact of circuit resistance on the breakdown voltage of tantalum chip capacitors, in Pro-ceedings of the CARTS, 2001. P. 150–156.
Ibid.
Gill J. Surge in solid tantalum capacitors // AVX (July, 1994). – 1995.
Reed E. K. and Paulsen J. L. Op. cit.
Teverovsky A. Op. cit.
Ibid.
Ibid.
Ibid.
Ibid.
