Токовые характеристики фазовых переходов неупорядоченного полупроводника структуры GST225
Ключевые слова:
неупорядоченные полупроводники, фазовая память, халькогенидные стеклообразные полупроводники, управление свойствами материалов, легирование, наноразмерные пленки, наноэлектроникаАннотация
Проведено численное моделирование нелегированной и легированной структуры GST225 в аморфном и кристаллическом состоянии. Выявлено влияние примесей на токовые характеристики ХСП. Построены зависимости порогового напряжения фазового перехода в образцах при изменениях тока, ширины запрещенной зоны и температуры.Библиографические ссылки
Privitera S., Rimini E., Zonca R. Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).
Rivera-Rodriguez C., Prokhorov E., Kovalenko Yu., Morales-Sanchez E., Gonzalez-Hernandez J. Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).
Kim S. M, Shin M. J., Choi D. J., Lee K. N., Hong S. K., Park Y. J. Thin Sol. Films, 469−470, 322 (2004).
Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. – 2014. – № 2 (32). – С. 36–38.
Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 / П. А. Ушаков, Е. Ю. Батуркина // Интеллектуальные системы в производстве. – 2013. – № 2 (22). – С. 34–40.
Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. – 2013. – № 4-3 (46). – С. 100–102.
