Current characteristics of phase transitions in disordered semiconductors with GST225 structure
Keywords:
, disordered semiconductors, phase memory, chalcogenide glassy semiconductors, material properties control, alloying, nanoscale films, nanoelectronicsAbstract
Numerical simulation of non-alloy and alloy GST225 structure in the amorphous and crystalline state is carried out. The influence of impurities on current characteristics of the CGS is revealed. The dependences are obtained for the threshold voltage of phase transition in samples within the current, band gap and temperature change.References
Privitera S., Rimini E., Zonca R. Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).
Rivera-Rodriguez C., Prokhorov E., Kovalenko Yu., Morales-Sanchez E., Gonzalez-Hernandez J. Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).
Kim S. M, Shin M. J., Choi D. J., Lee K. N., Hong S. K., Park Y. J. Thin Sol. Films, 469−470, 322 (2004).
Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. – 2014. – № 2 (32). – С. 36–38.
Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 / П. А. Ушаков, Е. Ю. Батуркина // Интеллектуальные системы в производстве. – 2013. – № 2 (22). – С. 34–40.
Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. – 2013. – № 4-3 (46). – С. 100–102.