Current characteristics of phase transitions in disordered semiconductors with GST225 structure

Authors

  • A. Y. Klochkov Ryazan State Radio Engineering University
  • A. I. Korshunov Kalashnikov ISTU
  • S. G. Emelyanov Southwestern State University
  • S. A. Baturkin Ryazan State Radio Engineering University

Keywords:

, disordered semiconductors, phase memory, chalcogenide glassy semiconductors, material properties control, alloying, nanoscale films, nanoelectronics

Abstract

Numerical simulation of non-alloy and alloy GST225 structure in the amorphous and crystalline state is carried out. The influence of impurities on current characteristics of the CGS is revealed. The dependences are obtained for the threshold voltage of phase transition in samples within the current, band gap and temperature change.

Author Biographies

A. Y. Klochkov, Ryazan State Radio Engineering University

PhD in Engineering, Associate Professor

A. I. Korshunov, Kalashnikov ISTU

DSc in Engineering, Professor

S. G. Emelyanov, Southwestern State University

DSc in Engineering, Professor

S. A. Baturkin, Ryazan State Radio Engineering University

Director of innovative development

References

Privitera S., Rimini E., Zonca R. Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).

Rivera-Rodriguez C., Prokhorov E., Kovalenko Yu., Morales-Sanchez E., Gonzalez-Hernandez J. Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).

Kim S. M, Shin M. J., Choi D. J., Lee K. N., Hong S. K., Park Y. J. Thin Sol. Films, 469−470, 322 (2004).

Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. – 2014. – № 2 (32). – С. 36–38.

Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 / П. А. Ушаков, Е. Ю. Батуркина // Интеллектуальные системы в производстве. – 2013. – № 2 (22). – С. 34–40.

Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. – 2013. – № 4-3 (46). – С. 100–102.

Published

07.07.2015

How to Cite

Klochkov А. Я., Korshunov А. И., Emelyanov С. Г., & Baturkin С. А. (2015). Current characteristics of phase transitions in disordered semiconductors with GST225 structure. Intellekt. Sist. Proizv., 13(1), 108–110. Retrieved from https://izdat.istu.ru/index.php/ISM/article/view/1936

Issue

Section

Device engineering, metrology, measuring equipment and systems