Implementation of the parametric device with fractional impedance on basis of MOSFET
Keywords:
fractional-order device, RC-network with distributed parameters, metal-oxide-semiconductor, MOSFETAbstract
A MOSFET implementation of a parametric device whose impedance has a non-integer (fractional) dependency on the frequency is presented. The fractional order can be tuned by applying a voltage to the semiconductor substrate. An admittance matrix of the transistors as four-terminal devices is derived, and phase characteristics of the structure are obtained and plotted. The characteristics depend on the applied substrate voltage and it proves the ability of the fractional order to be tuned parametrically. A layout of the structure in CMOS technology is also presented.References
Левин Л. Методы решения технических задач с использованием аналоговых вычислительных машин / пер. с англ. И. Б. Гуревича и Г. О. Розенталя ; под ред. А. Б. Саввина. - М. : Мир, 1966. - 406 с.
Кампе-Немм А. А. Решение инженерных задач на электронных моделирующих машинах. - Л. : Энергия, 1970. - 96 с.
Гильмутдинов А. Х., Ушаков П. А. Фрактальные элементы : учеб. пособие / под ред. А. Х. Гильмутдинова ; предисловие чл.-кор. РАН С. А. Никитова. - Казань : Изд-во Казан. гос. техн. ун-та, 2013. - 308 с.
Параметрический RC-элемент с распределенными параметрами : пат. 2557075 Рос. Федерация. № 2013154896/07; заявл. 10.12.2013; опубл. 20.07.2015. Бюл. № 20. - 7 с.
Baker Jacob R. Circuit design, layout, and simulation // Wiley-IEEE Press, ISBN 978-0-470-88132-3, 3rd Edition, 2010, p. 1208.
Carusone Tony Chan, Johns David. A, Kenneth W. Martin, Analog integrated circuit design // Wiley, ISBN 978-0470770108, 2nd Edition, 2011, p. 822.
Happ W. W., Castro P. S. Distributed Parameter Circuit Design Techniques // NEC Proc. Vol. 17, 1961. P. 44-70.
tatic Free Software Home of the Electric VLSI Design System: Интернет ресурс. - URL: http://www.staticfreesoft.com/ (дата обращения: 21.02.1016).
Гильмутдинов А. Х., Ушаков П. А. Фрактальные элементы : учеб. пособие / под ред. А. Х. Гильмутдинова ; предисловие чл.-кор. РАН С. А. Никитова. - Казань : Изд-во Казан. гос. техн. ун-та, 2013. - 308 с.
