МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ЗАРЯДЕ КОНДЕНСАТОРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ МЕТОДОМ КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
DOI:
https://doi.org/10.22213/2410-9304-2018-3-58-65Ключевые слова:
конечно-элементное моделирование, переходные процессы, элементы с распределенными параметрамиАннотация
Танталовые конденсаторы имеют большую удельную емкость благодаря пористой структуре анода. Эта особенность их строения приводит к тому, что при анализе на высоких частотах или расчете переходных процессов с малым значением постоянной времени танталовый конденсатор нельзя рассматривать как элемент с сосредоточенными параметрами. При этом лестничная схема замещения дает более точные результаты расчетов в частотной и временной областях. Можно предположить, что в процессе заряда конденсатора с распределенными параметрами напряженность электрического поля и плотность тока распределены неравномерно по структуре конденсатора, что может приводить к неравномерной нагрузке на различные области конденсатора. Для проверки этой гипотезы был проведен конечно-элементный анализ процесса заряда структуры конденсатора с распределенными параметрами, который показал, что области конденсатора, расположенные вблизи катодного вывода, подвергаются воздействию зарядных токов большей амплитуды. Возможны ситуации, при которых в этих областях наблюдаются колебательные переходные процессы при общем апериодическом процессе заряда конденсатора, что приводит к возникновению перенапряжений в этих областях. Степень влияния распределенности параметров конденсатора на характер переходных процессов снижается с ростом проводимости материала катода.Библиографические ссылки
Holman, Brian, The electrical characterization of tantalum capacitors as mis devices (2008) // All Theses. Paper 393.
Барсуков В. К., Сибгатуллин Б. И. Расчет и моделирование переходных процессов при испытаниях танталовых конденсаторов импульсным током // Интеллектуальные системы в производстве. 2015. № 1 (25). С. 115-120.
Sullivan C. R., Kern A. M. Capacitors with fast current switching require distributed models // Proceedings of the 32nd Annual Power Electronics Specialists Conference. PESC 2001, 17-21 June 2001, pp. 1497-1503.
Prymak J. D. Capacitors EDA models with compensations for frequency, Temperature and DC bias // CARTS-CONFERENCE - Electronic Components Association, 2010.
Prymak J. SPICE modeling of capacitors // CARTS-CONFERENCE - COMPONENTS TECHNOLOGY INSTITUTE INC, 1995. С. 39-39.
Барсуков В. К., Сибгатуллин Б. И. Calculation and simulation of transients during charging of tantalum capacitors // Молодые ученые - ускорению научно-технического прогресса в XXI веке: сб. матер. конф. Ижевск, 2015. С. 883-889.
Teverovsky A. Effect of inductance and requirements for surge current testing of tantalum capacitors // Carts-conference - Components technology institute inc., 2006.
Reed E. K., Paulsen J. L. Impact of circuit resistance on the breakdown voltage of tantalum chip capacitors // Proceedings of the CARTS, 2001, pp. 150-156.
Григорьев А. Д. Методы вычислительной электродинамики. М. : ФИЗМАТЛИТ, 2012. 432 с.
Определение параметров схем замещения танталовых конденсаторов по экспериментальным характеристикам / В. К. Барсуков, М. Л. Новоселов, М. А. Пустовалов, А. В. Соломин, М. А. Чепкасова // Современные проблемы и пути их решения в науке, транспорте, производстве и образовании 2011 : сборник научных трудов SWorld. Материалы международной научно-практической конференции. 2011. Вып. 4. Т. 10. С. 72-79.