Current Characteristics of Phase Transitions in Disordered Semiconductor with GST225 Structure

Klochkov A.Y., Korshunov A.I., Emelyanov S.G., Baturkin S.A.

Abstract


The paper presents the numerical simulation of non-alloy and alloy GST225 structures in the amorphous and crystalline states. The influence of impurities on the current characteristics of CGS is revealed. The dependences are obtained for the threshold voltage of the phase transition in the samples when the current, the band gap and temperature are varied.

Keywords


disordered semiconductors; phase memory; chalcogenide glassy semiconductors; control of material properties; alloying; nanoscale films; nanoelectronics

References References

Privitera S., Rimini E., Zonca R. // Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).

C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu. Kovalenko, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez // Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).

S. M. Kim, M. J. Shin, D. J. Choi, K. N. Lee, S. K. Hong, Y. J. Park // Thin Sol. Films, 469-470, 322 (2004).

Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. - 2014. - № 2(32). - С. 36-38.

Ушаков П. А., Батуркина Е. Ю. Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 // Интеллектуальные системы в производстве. - 2013. - № 2(22). - С. 34-40.

Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского гос. радиотех. ун-та. - 2013. - № 4-3(46). - С. 100-102.


Article Metrics

Metrics Loading ...

Metrics powered by PLOS ALM


Copyright (c) 2015 Bulletin of Kalashnikov ISTU

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

ISSN 1813-7903 (Print)
ISSN 2413-1172 (Online)