Current Characteristics of Phase Transitions in Disordered Semiconductor with GST225 Structure

Authors

  • A. Y. Klochkov Ryazan State Radio Engineering University
  • A. I. Korshunov Kalashnikov Izhevsk State Technical University
  • S. G. Emelyanov Southwest State University
  • S. A. Baturkin Ryazan State Radio Engineering University

Keywords:

disordered semiconductors, phase memory, chalcogenide glassy semiconductors, control of material properties, alloying, nanoscale films, nanoelectronics

Abstract

The paper presents the numerical simulation of non-alloy and alloy GST225 structures in the amorphous and crystalline states. The influence of impurities on the current characteristics of CGS is revealed. The dependences are obtained for the threshold voltage of the phase transition in the samples when the current, the band gap and temperature are varied.

Author Biographies

A. Y. Klochkov, Ryazan State Radio Engineering University

PhD in Engineering, Associate Professor

A. I. Korshunov, Kalashnikov Izhevsk State Technical University

DSc in Engineering, Professor

S. G. Emelyanov, Southwest State University

DSc in Engineering, Professor

S. A. Baturkin, Ryazan State Radio Engineering University

References

Privitera S., Rimini E., Zonca R. // Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).

C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu. Kovalenko, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez // Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).

S. M. Kim, M. J. Shin, D. J. Choi, K. N. Lee, S. K. Hong, Y. J. Park // Thin Sol. Films, 469-470, 322 (2004).

Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. - 2014. - № 2(32). - С. 36-38.

Ушаков П. А., Батуркина Е. Ю. Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 // Интеллектуальные системы в производстве. - 2013. - № 2(22). - С. 34-40.

Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского гос. радиотех. ун-та. - 2013. - № 4-3(46). - С. 100-102.

Published

15.03.2015

How to Cite

Klochkov А. Я., Korshunov А. И., Emelyanov С. Г., & Baturkin С. А. (2015). Current Characteristics of Phase Transitions in Disordered Semiconductor with GST225 Structure. Vestnik IzhGTU Imeni M.T. Kalashnikova, 18(1), 77–79. Retrieved from https://izdat.istu.ru/index.php/vestnik/article/view/2086

Issue

Section

Articles