Current Characteristics of Phase Transitions in Disordered Semiconductor with GST225 Structure
Keywords:
disordered semiconductors, phase memory, chalcogenide glassy semiconductors, control of material properties, alloying, nanoscale films, nanoelectronicsAbstract
The paper presents the numerical simulation of non-alloy and alloy GST225 structures in the amorphous and crystalline states. The influence of impurities on the current characteristics of CGS is revealed. The dependences are obtained for the threshold voltage of the phase transition in the samples when the current, the band gap and temperature are varied.References
Privitera S., Rimini E., Zonca R. // Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).
C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu. Kovalenko, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez // Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).
S. M. Kim, M. J. Shin, D. J. Choi, K. N. Lee, S. K. Hong, Y. J. Park // Thin Sol. Films, 469-470, 322 (2004).
Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. - 2014. - № 2(32). - С. 36-38.
Ушаков П. А., Батуркина Е. Ю. Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 // Интеллектуальные системы в производстве. - 2013. - № 2(22). - С. 34-40.
Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского гос. радиотех. ун-та. - 2013. - № 4-3(46). - С. 100-102.