ТОКОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ НЕУПОРЯДОЧЕННОГО ПОЛУПРОВОДНИКА СТРУКТУРЫ GST225
Ключевые слова:
неупорядоченные полупроводники, фазовая память, халькогенидные стеклообразные полупроводники, управление свойствами материалов, легирование, наноразмерные пленки, наноэлектроникаАннотация
Проведено численное моделирование нелегированной и легированной структур GST225 в аморфном и кристаллическом состояниях. Выявлено влияние примесей на токовые характеристики ХСП. Построены зависимости порогового напряжения фазового перехода в образцах при изменениях тока, ширины запрещенной зоны и температуры.Библиографические ссылки
Privitera S., Rimini E., Zonca R. // Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).
C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu. Kovalenko, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez // Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).
S. M. Kim, M. J. Shin, D. J. Choi, K. N. Lee, S. K. Hong, Y. J. Park // Thin Sol. Films, 469-470, 322 (2004).
Моделирование ячеек энергонезависимой фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 / А. Я. Клочков, А. А. Скунцев, А. М. Левин, Е. Ю. Батуркина // Наноинженерия. - 2014. - № 2(32). - С. 36-38.
Ушаков П. А., Батуркина Е. Ю. Моделирование неупорядоченного полупроводника структуры GST225 // Интеллектуальные системы в производстве. - 2013. - № 2(22). - С. 34-40.
Полимерные композиты на основе углеродных нанотрубок в микроволновых приложениях / О. Г. Поддубская, Н. И. Волынец, И. А. Бочков, П. П. Кужир, С. А. Максименко, Е. Ю. Батуркина, О. А. Горлин // Вестник Рязанского гос. радиотех. ун-та. - 2013. - № 4-3(46). - С. 100-102.