МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕУПОРЯДОЧЕННОГО ПОЛУПРОВОДНИКА СТРУКТУРЫ GST225

Авторы

  • П. А. Ушаков Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова
  • Е. Ю. Батуркина Рязанский государственный радиотехнический университет

Ключевые слова:

неупорядоченные полупроводники, фазовая память, халькогенидные стеклообразные полупроводники, управление свойствами материалов, легирование, наноразмерные пленки, наноэлектроника, квантово-механическое моделирование

Аннотация

Проведено численное моделирование нелегированной и легированной структуры GST225 в аморфном и кристаллическом состоянии. Выявлены наиболее вероятные точки расположения легирующих примесей в структуре. Построены 3d-модели суперячейки неупорядоченного полупроводника. Исследовано влияние легирующих примесей N, Si и O.

Биографии авторов

П. А. Ушаков, Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова

доктор технических наук, профессор, кафедра «Конструирование радиоэлектронной аппаратуры»

Е. Ю. Батуркина, Рязанский государственный радиотехнический университет

инженер

Библиографические ссылки

Welcome to Ecma International. URL: http://www. ecma-international.org (дата обращения: 04.12.2013).

Optical Data Storage. Phase-Change Media and Recording / Erwin R. Meinders, Andrei V. Mijiritskii, Liesbeth van Pieterson, Matthias Wuttig. – Berlin : Springer-Verlag, 2006. – (Philips Research Book Series, Vol. 4). – URL: http://download.springer.com/static/pdf/719/bfm%253A978-1-4020-4217-1%252F1.pdf?auth66=1386317499_c34c5e1d8e88 a67c83481536a41a017c&ext=.pdf (дата обращения: 04.12.2013).

Narahara T., Kobayashi S., Hattori M., Shimpuku Y., van den Enden G., Kahlman J., van Dijk M. and van Woudenberg R. // Optical disc system fordigital video recording. Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Part 1. No 2B. P. 912-919.

Florescu M., Busch K. and Dowling J. P., Phys. Rev. B 75, 201101(R) (2007).

S. Privitera, E. Rimini, R. Zonca. Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3044 (2004).

T.-Y. Lee, K.H.P. Kim, D.-S. Suh, C. Kim, Y.-S. Kang, D.G. Cahill, D. Lee, M.-H. Lee, M.-H. Kwon, K.-B. Kim, Y. Khang. Appl. Phys. Lett., 94, 243 103 (2009).

T.-Y. Lee, S.-S. Yim, D. Lee, M.-H. Lee, D.-H. Ahn, K.-B.Kim. Appl. Phys. Lett., 89, 163 503 (2006).

C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu. Kovalenko, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez. Appl. Surf. Sci., 247, 545 (2005).

S.M. Kim, M.J. Shin, D.J. Choi, K.N. Lee, S.K. Hong, Y.J. Park. Thin Sol. Films, 469−470, 322 (2004).

H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U.-I. Chung, and J. T. Moon, in Proceedings of the 2003 Symposium on VLSI Technology (IEEE, Piscataway,2003), 177.

S. Privitera, E. Rimini, and R. Zonca, Appl. Phys. Lett. 85, 3044 (2004). 11B. Liu, Z. Song, T. Zhang, J. Xia, S. Feng, and B. Chen, Thin Solid Films 478, 49 (2005).

Y. Kim, M. H. Jang, K. Jeong, M.-H. Cho, K. H. Do, D.-H. Ko, H. C. Sohn, and M. G. Kim, Appl. Phys. Lett. 92, 061910 (2008).

R. M. Shelby and S. Raoux, J. Appl. Phys. 105, 104902 (2009).

T. H. Jeong, H. Seo, K. L. Lee, S. M. Choi, S. J. Kim, and S. Y. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 1609 (2001).

S. M. Jeong, K. H. Kim, S. M. Choi, and H. L. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 045503 (2009).

K. B. Borisenko, Y. Chen, S. Song, and D. J. H. Cockayne, Chem. Mater. 21, 5244 (2009).

Z. Sun, J. Zhou, and R. Ahuja, Phys. Rev. Lett. 96, 055507 (2006).

J.-H. Eom, Y.-G. Yoon, C. Park, H. Lee, J. Im, D.-S. Suh, J.-S. Noh, Y. Khang, and J. Ihm, Phys. Rev. B 73, 214202 (2006).

J. Akola and R. O. Jones, Phys. Rev. B 76, 235201 (2007).

S. Caravati, M. Bernasconi, T. D. Ku¨hne, M. Krack, and M. Parrinello, Appl. Phys. Lett. 91, 171906 (2007).

J. Hegedus and S. R. Elliott, Nat. Mater. 7, 399 (2008).

J. Akola, R. O. Jones, S. Kohara, S. Kimura, K. Kobayashi, M. Takata, T. Matsunaga, R. Kojima, and N. Yamada, Phys. Rev. B 80, 020201(R) (2009).

Z. Sun, J. Zhou, A. Blomqvist, B. Johansson, and R. Ahuja, Phys. Rev. Lett. 102, 075504 (2009).

E. Cho, J. Im, C. Park, W. J. Son, D. Kim, H. Horii, J. Ihm, and S. Han, J. Phys.: Condens. Matter 22, 205504 (2010).

J. Im, E. Cho, D. Kim, H. Horii, J. Ihm, and S. Han, Phys. Rev. B 81, 245211 (2010).

B. Huang and J. Robertson, Phys. Rev. B 81, 081204(R) (2010).

Z. Sun, J. Zhou, H. Shin, A. Blomqvist, and R. Ahuja, Appl. Phys. Lett. 93, 241908 (2008).

S. J. Kim, J. H. Choi, S. C. Lee, B. Cheong, D. S. Jeong, and C. Park, J. Appl. Phys. 107, 103522 (2010).

G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).

P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994).

J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).

CRC Handbook of Chemistry and Physics, 66th ed., edited by R. C. Weast (CRC Press, Boca Raton, 1986).

K. Kim, J.-C. Park, J.-G. Chung, S. A. Song, M.-C. Jung, Y. M. Lee, H.-J. Shin, B. Kuh, Y. Ha, and J.-S. Noh, Appl. Phys. Lett. 89, 243520 (2006).

B. S. Lee, J. R. Abelson, S. G. Bishop, D.-H. Kang, B. Cheong, and K.-B. Kim, J. Appl. Phys. 97, 093509 (2005).

S. Caravati, M. Bernasconi, T. D. Kühne, M. Krack, and M. Parrinello, J. Phys.: Condens. Matter 21, 255501 (2009).

J. Dong, O. F. Sankey, S. K. Deb, G. Wolf, and P. F. McMillan, Phys. Rev. B 61, 11979 (2000).

M. Mitra, Y. Jung, D. S. Gianola, and R. Agarwal, Appl. Phys. Lett. 96, 222111 (2010).

D. Ielmini and Y. Zhang, J. Appl. Phys. 102, 054517 (2007).

Y. Kim, U. Hwang, Y. J. Cho, H. M. Park, M. H. Cho, P. Cho, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 90, 021908 (2007).

Street, R. A. States in the Gap in Glassy Semiconductors / R. A. Street, N. F. Mott // Phys. Rev. Lett. – 1975. – Vol. 35, Nо. 19. – Pp. 1293-1296.

Загрузки

Опубликован

15.06.2013

Как цитировать

Ушаков, П. А., & Батуркина, Е. Ю. (2013). МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕУПОРЯДОЧЕННОГО ПОЛУПРОВОДНИКА СТРУКТУРЫ GST225. Интеллектуальные системы в производстве, (2), 34–40. извлечено от https://izdat.istu.ru/index.php/ISM/article/view/1611

Выпуск

№ 2 (2013)

Раздел

Статьи